RW1C026ZPT2CR
Rohm Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | RW1C026ZPT2CR |
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Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 20V 2.5A 6WEMT |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.49 |
10+ | $0.40 |
100+ | $0.272 |
500+ | $0.204 |
1000+ | $0.153 |
2000+ | $0.1403 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±10V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 6-WEMT |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 2.5A, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 700mW (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | 6-SMD, Flat Leads |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1250 pF @ 10 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 4.5 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2.5A (Ta) |
Grundproduktnummer | RW1C026 |
RW1C026ZPT2CR Einzelheiten PDF [English] | RW1C026ZPT2CR PDF - EN.pdf |
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() RW1C026ZPT2CRRohm Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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